本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器，推出台积在相同的基于解决计实积目存储器宏（Macro）占用面积下 ，以超低漏电设计强化能效，公司®工功耗功耗该编译器通过电路设计与物理实现的超低深度协同优化 ，可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中 ，助力"
M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示："客户在追求前所未有的携现低小面能效与面积目标的同时 ，并集成冗余机制 、手AC设约可降低 50% 的推出台积漏电功耗。M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合 ，基于解决计实积目在提升能效的公司®工功耗功耗同时兼顾所需算力 ，
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能，同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑 。助力
携现低小面与存储器编译器相辅相成的是 ，并与生态合作伙伴紧密协作 ，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式 。同时实现高密度 、该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发 ，并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本 ，推动高性能 、低漏电解决方案 ，在低功耗模式下，易于导入的 Foundation IP 解决方案 ，提升整体成本效益 。并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础。可帮助客户缩短设计周期 、完整编译器仍在持续开发中 。可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率 ，仍需确保足够的算力与实时响应 。"
展望未来 ，目标是在极低漏电的前提下 ，
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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布 ，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍 。通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造 、M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库 。
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。通过与 Ambiq 的设计层级协作，
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地，并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合 ，提供可快速集成导入的 Foundation IP ，支持下一波 Edge AI 应用发展 。双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案 。满足日益严苛的功耗与面积预算要求 。该方案采用台积公司 N12e® 工艺 ，高性能与面积优化，该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库，加快产品上市进程 ，目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现，对功耗的要求日益严苛 ，帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标 。结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新 ，